Процессор 835 – Qualcomm Snapdragon 835 — топовая система на кристалле 2017 года

alexxlab 19.09.2020 Leave a comment

Содержание

Обзор SoC Qualcomm Snapdragon 835: удачный чип через раз?

Параметр / Модель	Snapdragon 835	Snapdragon 820	Snapdragon 810	Snapdragon 805
Количество ядер	8	4	4 + 4	4
Архитектура	Kryo 280	Kryo	Cortex-A57 + A53	Krait 450
Частота работы CPU	4 x 2.45 ГГц + 4 x 1.9 ГГц	2 x 2.15 ГГц + 2 x 1.6 ГГц	4 x 2.0 ГГц + 4 x 1.44 ГГц	4 х 2.7 ГГц
Схема работы ядер CPU	—	—	big.LITTLE (GTS)	-
Техпроцесс	10 нм FinFET LPE	14 нм FinFET LPP	20 нм HPm	28 нм HPm
GPU	Adreno 540	Adreno 530	Adreno 430	Adreno 420
Частота работы GPU, МГц	710	624	650	600
ОЗУ	LPDDR4X	LPDDR4	LPDDR4	LPDDR3
Количество каналов ОЗУ	2 x 32 (64 бит)	4 x 16 (64 бит)	2 (32 бит)	2 (64 бит)
Частота работы ОЗУ, МГц	1866	1866	1600	800
Теоретическая ПСП, Гбайт/с	29.8	29.8	25.6	25.6

Помимо восьми ядер новинка получила новый GPU, более энергоэффективную память LPDDR4X и передовой техпроцесс 10 нм силами Samsung. Если присмотреться внимательнее, станет очевидно, что изменений относительно предшественника не так много, архитектура ядер сильно не изменилась, пропускная способность памяти тоже.

Остается надежда на возросшее количество ядер и передовой техпроцесс, который должен позволить задействовать все эти мощности, уложившись в TDP.

Знакомство

В обзоре Snapdragon 820 мы сетовали на невысокую скорость работы чипа в расчете на один поток, которая не сильно увеличилась даже по сравнению с крайне неудачным Snapdragon 810.

Если взять для примера тот же GeekBench 4, то можно увидеть, что новинка мало исправила это положение. В то время как чипы Apple эволюционируют довольно равномерно, прибавляя как в скорости работы с одним потоком, так и при многопоточной нагрузке,…

… в мире Android все не так просто. Да, уже сейчас многие приложения умеют работать с более чем двумя потоками, но пренебрегать скоростью работы с одним потоком вычислений неразумно, поскольку это напрямую влияет на плавность работы гаджета.

Другое дело – GPU. Тут производительность существенно повысилась, особенно в высоких разрешениях и при использовании «свежих» API. Если не учитывать троттлинг, то такую пиковую производительность применить толком и негде, и остается надеяться на скорое развитие VR/AR проектов, в которых такая мощность может быть к месту.

overclockers.ru

10-нм техпроцесс и быстрая зарядка за 5 минут

В рамках мероприятия Snapdragon Technology Summit компания Qualcomm официально анонсировала новую флагманскую однокристальную систему для мобильных устройств — Snapdragon 835, которую ранее в СМИ было принято называть Snapdragon 830.

Однако об особенностях архитектуры новой SoC, в частности, характеристиках её CPU и GPU, представители компании предпочли не говорить — эту информацию они приберегли на более поздний срок. Сейчас же о самом чипе было сказано лишь то, что он производится корпорацией Samsung по 10-нм техпроцессу FinFET. Эта технология позволяет на 30 % увеличить эффективность использования площади кристалла, на 27 % повысить производительность процессора и на 40 % снизить его энергопотребление.

Ключевой же темой пресс-конференции стала технология быстрой зарядки Quick Charge 4.0, ведь Snapdragon 835 — это первая система-на-чипе, в которой она будет применяться. По информации Qualcomm, наличие функции быстрой зарядки аккумулятора является сейчас одним из основных критериев при выборе нового смартфона для 61 % пользователей. При этом 26 % владельцев недовольны своим нынешним аппаратом из-за того, что он заряжается слишком долго, а 42 % жалуются на недостаточную продолжительность его автономной работы. Этими статистическими данными чипмейкер объясняет, почему так много внимания уделяет разрабатываемой им технологии Quick Charge.

5 часов за 5 минут

Прежде всего, Quick Charge 4.0 стал производительнее: как утверждают разработчики, от версии 3.0 новую технологию отличают на 20 % большая скорость и на 30 % увеличенная эффективность подзарядки, а в сравнении со стандартом Quick Charge 1.0 четвёртое поколение быстрее уже в 2,5 раза.

Чтобы с использованием Quick Charge 4.0 получить запас энергии, достаточный для работы среднестатистического смартфона в течение пяти часов, достаточно подключить его к блоку питания на пять минут. Если же оставить аппарат заряжаться на 15 минут, то заряд его аккумулятора пополнится наполовину. Однако важно понимать, что данные цифры являются неким эталоном, полученным Qualcomm в ходе испытаний, проведённых на устройстве с 2750 мА·ч батареей. Соответственно, чем больше будет ёмкость аккумулятора, тем дольше будет длиться процесс.

Безопасность превыше всего

Отдельную часть пресс-конференции в честь Quick Charge 4.0 компания Qualcomm посвятила вопросам безопасности. На эту тему ей было что рассказать, ведь технология предусматривает четырёхуровневую защиту от перегрева смартфона во время зарядки, которую дополняют три ступени токовой защиты и столько же уровней контроля напряжения. Кроме того, применяются определённые схемы защиты блока питания, батареи и кабелей. К слову о последних: смартфоны с Quick Charge 4.0 будут способны определять тип подключённого кабеля и его качество.

Отмечается также, что Quick Charge 4.0 совместим со стандартами USB Type-C и USB Power Delivery (USB-PD), кроме того, в нём применяется третья редакция алгоритма управления питанием INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), с помощью которого система автоматически подбирает наиболее оптимальный для конкретных температурных условий режим зарядки.

Ждать осталось недолго

В рамках прошедшей пресс-конференции Qualcomm намеренно сосредоточилась на Quick Charge 4.0, оставив за кадром технические подробности о самом чипе Snapdragon 835, в котором эта технология быстрой зарядки будет реализована впервые. Но ожидание официальных новостей о нём продлится недолго: чипмейкер обещал раскрыть карты уже в первых числах января. Что же касается устройств на базе Snapdragon 835, то они начнут поступать на рынок в первой половине 2017 года.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

3dnews.ru

Snapdragon 835 — обзор характеристик топового микропроцессора

Qualcomm – компания, являющаяся доминирующим производителем на рынке мобильных процессоров. Вытеснив конкурентов в лице Intel и Nvidia, бренд, по сути, остался монополистом в сегменте высокопроизводительных чипсетов, поскольку второй заметный игрок – MediaTek, удерживает позиции в бюджетной и средней ценовой категории, тогда как практически все флагманские смартфоны выпускаются на чипах Snapdragon.

Snapdragon 835 – новый топовый процессор от Qualcomm, представленный на выставке CES 2017. Достоверное известно, что на нем будут выпущены такие флагманы 2017-года как Xiaomi Mi6, Samsung Galaxy S8, LG V30 и SONY XZ.

Производство нового снапдрагона осуществляется на мощностях компании Самсунг, это однокристальная архитектура, выполненная по 10-нм технроцессу. Snapdragon 835 базируется на 8 ядрах собственной разработки Qualcomm – Kryo 280: используются 4 высокопроизводительные ядра с тактовой частотой 2.45 ГГц (2 МБ кеша) и 4 энергоэффективных ядра на 1.9 ГГц (1 МБ).

По заявлениям Qualcomm, в новом чипсете реализована продвинутая система распределения задач. Так, с целью экономии энергопотребления, при соответствующей нагрузки из работы будет выключаться не только высокопроизводительный кластер ядер и графический ускоритель, но и сигнальный процессор Hexagon 680.

На службе виртуальной реальности

В качестве графического ускорителя используется новейшая разработка Adreno 540 (тактовая частота 650 МГц, производительность до 520 гигафлопс), которая обеспечит поддержку DirectX-12, Vulkan и OpenGL. На презентации было акцентировано внимание на то, что Snapdragon 835 заточен под потребности систем виртуальной реальности.

Он призван решить одну из основных проблем VR на нынешней стадии развития – сильный нагрев смартфонов с 4К экраном при использовании в очках виртуальной реальности и неудовлетворительное качество картинки даже при наличии максимального разрешения экрана.

Лучшее качество связи и безопасность

В новинке реализован топовый LTE-модем компании – X16. На презентации было объявлено, что он способен развивать скорость загрузки данных до 1 ГБ/сек, что на практике обеспечивает возможность беспроблемного онлайн-просмотра 4К-фильмов либо их очень быстрой загрузки (100 ГБ за 13 минут). Однако стоит учитывать, что скорость обмена данными в большей степени будет зависеть от вашего мобильного оператора, и просто лишь наличие смартфона на 835 драконе не обеспечит вам обещанные 1 ГБ/с.

Также в чипсет интегрирован двухполосный Wi-Fi модем поддерживающий работу в сетях 802.11ас и 802.11ad, при этом предусмотрена возможность горячего переключения трафика между Wi-Fi и LTE. Приятный бонус – технология Qualcomm Haven, обеспечивающая поддержку сканеров отпечатков пальца и сетчатки глаза либо лица целиком.

Продвинутые фото-возможности

Одно из самых интересных новшеств Snapdragon 835 – наличие выделенного процессора для обработки изображений под названием Spectra 180. Потенциально эта технология способна вывести мобильную фотографию на новый уровень, так как теперь смартфоны научатся записывать 14-битный цвет, чем ранее могли похвастаться только топовые зеркальные фотоаппараты.

Новый чипсет обеспечит поддержку камер с разрешением до 32 МП (один модуль) либо двух модулей на 16+16 МП. Кстати, производители получат возможность приобрести процессор с уже предустановленными камерами: на выбор им предлагается 835-дракон с модулем Sony IMX298, двумя модулями реализованными по технологии Huawei (цветной+монохромный) или двумя модулями как у Apple (широкоугольный+телевик, возможность оптического зума).

Производительность и энергоэффективность

Согласно маркетинговым заявлениям, Snapdragon 835 будет превосходить предшественника в лице 821 на 27% по части производительности и на 40% по энергоэффективности. До тех пор, пока не выйдет первый смартфона на новом чипсете, делать какие-либо выводы опрометчиво, но в сети уже всплывали скриншоты теста GeekBench где смартфон Xiaomi Mix EVO набрал 6223 баллов в многоядерном и 2005 баллов в одноядерном режиме. Результат в AnTuTu Benchmark на неизвестном смартфоне – 180 тыс. баллов.

Новый процессор будет поддерживать технологию Quick Charge 4, которая сократит продолжительность быстрой зарядки на 20%. Обещают, что 50% заряда смартфон с аккумулятором 2750 мАч сможет получать всего за 15 минут. При этом зарядка будет осуществляться через порт USB-C, который рекомендует использовать для Android-смартфонов компания Google.

Первым смартфоном на Snapdragon 835 станет Samsung Galaxy S8, презентация которого состоится 29 марта 2017 года. Тогда мы и cможем увидеть самый технологичный мобильный процессор современности в действии.

Facebook

Twitter

Вконтакте

Одноклассники

Google+

mobnovelty.ru

Обзор и тестирование Qualcomm Snapdragon 835 / Аналитика

⇡#Тестирование производительности

Главной новостью второго знакомства с Qualcomm Snapdragon 835 стало изменение политики компании в отношении именования своего процессора. Грубо говоря, называть теперь Snapdragon процессором или даже системой-на-чипе нельзя – только мобильной платформой. Теперь это официально. Объясняется это (помимо маркетинговых нужд) тем, что Snapdragon включает в себя не только «железо», но и программные решения, а также сервисы. Выше мы уже рассказывали о составных частях Snapdragon 835. Но стоит сказать, что, например, модуль Qualcomm Haven, отвечающий за проверку токенов, цифровых подписей приложений и так далее, снабжается программной надстройкой на основе разработок Trustlook, которая позволяет «из коробки» обеспечивать относительную безопасность устройства. Хотя говорить об антивирусе, который полноценно конкурирует с регулярно обновляемыми внешними решениями, было бы все-таки слишком оптимистично. Тем не менее Qualcomm давно уже замахивалась на большее, нежели просто обеспечение аппаратной производительности, и продолжает развитие этой темы – теперь уже и в области идеологии.

Впрочем, в данном случае мы поговорим именно о производительности платформы Snapdragon 835 – мне удалось попробовать ее в деле с основными мобильным бенчмарками.

В качестве тестового аппарата был предоставлен не конечный продукт вроде Sony Xperia XZ Premium (официально первый аппарат с заявленным Snapdragon 835 на борту), а MDP (Mobile Development Platform) – платформа для разработчиков. Стандартная практика, в позапрошлом году с Qualcomm Snapdragon 820 была та же история.

Этот MDP оказался оснащен 6-дюймовым дисплеем с разрешением 2560 × 1440 (560 dpi), 6 Гбайт оперативной памяти LPDDR4 и 64 Гбайт флеш-памяти, а также неожиданно одинарной 21-мегапиксельной камерой; образец включает и Wi-Fi-модуль, и модуль сотовой связи, работающий в том числе и с 4G-сетями.

Оценивать уровень нагрева по данному аппарату, выполненному в очень толстом корпусе со съемной батареей бессмысленно. Тем не менее все-таки стоит сказать, что даже при пиковых нагрузках в бенчмарках корпус оставался максимум чуть теплым. Однако выводы о том, как ведет себя Snapdragon 835 в реальных условиях оставим до тестов коммерческих аппаратов на базе этой платформы. Ниже – только результаты тестирования.
К сожалению, загружать бенчмарки по собственному желанию представители Qualcomm не дали, отключив предварительно Google Play и оставив на борту только группу предварительно одобренных бенчмарков. Тем не менее все самое главное, в том числе и из используемого в нашем стандартом пакете, кроме 3DMark Ice Storm Unlimited (вместо него был загружен тест Sling Shot 3.1), было. Для сравнения в тех тестах, где у нас есть результаты, я выбрал аппараты на базе Snapdragon 820 (Sony Xperia XZ), Snapdragon 821 (Xiaomi Mi5s Plus), Samsung Exynos 8890 Octa (Samsung Galaxy Note 7 из-за доступности для него Geekbench 4), HiSilicon Kirin 960 (Huawei Mate 9) и Apple A10 (iPhone 7). Часть тестов уникальна и представлена в виде скриншотов с экрана.

Как видим, драматического прироста производительности на 835-й платформе по сравнению с 820-й и 821-й не произошло. Акцент в этом поколении сделан не на росте чистой вычислительной мощности, а в первую очередь на энергоэффективности. Представители компании заявляют в среднем о 25-процентном приросте в этом компоненте. В бенчмарках эта цифра заметно меньше, хотя Snapdragon в сочетании с 6 Гбайт оперативной памяти и уверенно превосходит всех конкурентов в ключевых синтетических тестах, слегка уступая только Apple A10 в производительности отдельного ядра и держась с ним наравне в плане графической мощи. Тест WEBXprt в немалой степени также говорит об оптимизации – в данном случае его результат нельзя назвать действительно валидным, хотя для иллюстрации он пригоден.
Тем не менее бросается в глаза выигрыш в большинстве задач у актуальной платформы Apple – для Snapdragon 820 в сравнении с A9 эта задача была непосильна. Говорить о каком-либо разочаровании в производительности Snapdragon 835 нет никакого смысла. Прогресс очевиден во всех направлениях.

Напоследок – пара «чистых» тестов быстродействия JavaScript. У нас есть результаты Apple iPhone разных поколений в Google Octane. Здесь тоже большое влияние оказывает браузер и его связка с аппаратной платформой. И пара Apple A10 + Safari смотрится, конечно, наголову сильнее – 25 488 баллов против 14 166 у Snapdragon 835. Это уровень Apple A9 – но сюрпризом подобный результат не стал. При смене браузера можно получить большую цифру, но в целом отставание Android-аппаратов от своих конкурентов на iOS по скорости работы в браузере пока еще сохраняется.

Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

3dnews.ru