Меню

Что значит nm: Что означает «nm»? — Вопрос о Английский (американский вариант)

alexxlab 28.10.1981 Leave a comment

Содержание

Что означает NM? -определения NM


Вы ищете значения NM? На следующем изображении вы можете увидеть основные определения NM. При желании вы также можете загрузить файл изображения для печати или поделиться им со своим другом через Facebook, Twitter, Pinterest, Google и т. Д. Чтобы увидеть все значения NM, пожалуйста, прокрутите вниз. Полный список определений приведен в таблице ниже в алфавитном порядке.

Основные значения NM

На следующем изображении представлены наиболее часто используемые значения NM. Вы можете записать файл изображения в формате PNG для автономного использования или отправить его своим друзьям по электронной почте.Если вы являетесь веб-мастером некоммерческого веб-сайта, пожалуйста, не стесняйтесь публиковать изображение определений NM на вашем веб-сайте.

Все определения NM

Как упомянуто выше, вы увидите все значения NM в следующей таблице. Пожалуйста, знайте, что все определения перечислены в алфавитном порядке.Вы можете щелкнуть ссылки справа, чтобы увидеть подробную информацию о каждом определении, включая определения на английском и вашем местном языке.

Что означает NM в тексте

В общем, NM является аббревиатурой или аббревиатурой, которая определяется простым языком. Эта страница иллюстрирует, как NM используется в обмена сообщениями и чат-форумах, в дополнение к социальным сетям, таким как VK, Instagram, Whatsapp и Snapchat. Из приведенной выше таблицы, вы можете просмотреть все значения NM: некоторые из них образовательные термины, другие медицинские термины, и даже компьютерные термины. Если вы знаете другое определение NM, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы включим его во время следующего обновления нашей базы данных. Пожалуйста, имейте в информации, что некоторые из наших сокращений и их определения создаются нашими посетителями. Поэтому ваше предложение о новых аббревиатур приветствуется! В качестве возврата мы перевели аббревиатуру NM на испанский, французский, китайский, португальский, русский и т.д. Далее можно прокрутить вниз и щелкнуть в меню языка, чтобы найти значения NM на других 42 языках.

Состояние пластинок оценка и принятые сокращения

Оценка состояния коллекционных виниловых пластинок

В салоне «Нота Плюс» мы стараемся представлять только те виниловые пластинки, которые удовлетворяют нашим высоким требованиям к их состоянию. Подавляющее большинство наших пластинок имеют оценку от Exellent+ до Still Sealed. Все поступающие к нам пластинки проходят предварительную проверку, оценку и предпродажную подготовку. Если пластинка имеет заметные загрязнения, то перед тем как выставить её на продажу, мы моем пластинку в моющей машинке VPI или Audio Desk качественным специализированным моющим средством и помещаем в новый внутренний антистатический конверт. Если «родной» внутренний конверт обладает коллекционной ценностью, то его мы вкладываем рядом с пластинкой в новом пакете.

Для оценки состояния мы используем принятые во всем мире обозначения, описывающие состояние конверта (первая буква в обозначении) и самой пластинки (вторая буква в обозначении). Ниже приведена  расшифровка, буквенных обозначений на виниловых пластинках, используемых в нашем магазине. Наши оценщики имеют огромный опыт в данной области, но, оценка весьма субъективный предмет и порой существуют различные мнения по поводу значимости тех или иных факторов при отнесении коллекционных пластинок в  категории по состоянию. Мы уверены в правильности наших оценок и никогда не вводим в заблуждение покупателей, но если вы не согласны с нашей оценкой — просто выберите другой экземпляр, который соответствует вашим запросам. В магазине созданы все условия для того чтобы вы могли внимательно рассмотреть пластинку и даже прослушать её. Сортировка по состоянию производится только в рамках приведенных ниже категорий, все пластинки вне данной классификации в продажу не допускаются.

Международные сокращения системы визуальной оценки качества пластинок и конвертов


SS (Still Sealed) — запечатанная на заводе пластинка. Пластинка гарантированно новая, но конверт, в редких случаях, может быть не в идеальном состоянии. К данной категории могут быть отнесены абсолютно новые пластинки, только что выпущенные с завода, а также пластинки побывавшие в частной коллекции, но так и не распечатанные.

M/M (Mint/Mint) — Конверт в идеальном состоянии и не имеет никаких дефектов. Пластинка, без каких-либо изъянов, не была прослушана ни разу или прослушана очень аккуратно, полностью отсутствуют видимые дефекты, пятна или надписи.

M/M- (Mint/Mint minus) — (иногда маркируется некоторыми оценщиками как M/NM — Mint/Near Mint). Конверт в идеальном состоянии и не имеет никаких дефектов. Пластинка, практически без изъянов, не была прослушана ни разу или прослушана очень аккуратно, никаких потертостей, царапин, пятен или надписей, но возможны небольшие замечания, не позволяющие присвоить пластинке состояние Mint

M-/M (Mint minus/Mint) — (иногда маркируется некоторыми оценщиками как NM/M — Near Mint/Mint). Конверт практически идеален, но есть небольшие замечание, не позволяющие присвоить ему состояние Mint. Пластинка, без каких-либо изъянов, не была прослушана ни разу, или прослушана очень аккуратно, никаких потертостей, царапин, пятен или надписей.

M-/M- (Mint minus/Mint minus) — (иногда маркируется некоторыми оценщиками как NM/NM — Near Mint/Near Mint). Конверт практически идеален, но есть небольшие замечание, не позволяющие присвоить ему состояние Mint. Пластинка, практически без изъянов. Не была прослушана ни разу, или прослушана очень аккуратно, никаких потертостей, царапин, пятен или надписей, но возможны небольшие замечания, не позволяющие присвоить пластинке состояние Mint.


EX+/M (Excellent plus/Mint) — (иногда маркируется некоторыми оценщиками как VG++/M — Very Good plus plus/Mint). Конверт может иметь небольшие потёртости и/или пару несерьёзных изломов, расщепление одного из торцов, может быть аккуратно подклеен прозрачным скотчем. Могут иметься мелкие надписи, стикеры (наклейки) или же следы от них. Пластинка новая , без каких-либо изъянов. Не была прослушана ни разу, или прослушана очень аккуратно. Никаких потертостей, царапин, пятен или надписей.

EX+/M- (Excellent plus/ Mint minus) — (иногда маркируется некоторыми оценщиками как VG++/NM — Very Good plus plus/Near Mint). Конверт может иметь небольшие потёртости и/или пару несерьёзных изломов, расщепление одного из торцов; может быть аккуратно подклеен прозрачным скотчем. Могут иметься мелкие надписи, стикеры (наклейки) или же следы от них. Пластинка новая , практически без изъянов. Не была прослушана ни разу, или прослушана очень аккуратно. Никаких потертостей, царапин, пятен или надписей, но возможны небольшие замечания, не позволяющие присвоить пластинке состояние Mint.

EX+/EX+ (Excellent plus/Excellent plus) — (иногда маркируется некоторыми оценщиками как VG++/VG++ — Very Good plus plus/Very Good plus plus). Конверт может иметь небольшие потёртости и/или пару несерьёзных изломов, расщепление одного из торцов; может быть аккуратно подклеен прозрачным скотчем. Могут иметься мелкие надписи, стикеры (наклейки) или же следы от них. Пластинка была прослушана явно не один раз, имеет поверхностные царапинки, при воспроизведении можно иногда услышать «песочек» или потрескивание, особенно в тихих местах и между треками, может встретиться один-два негромких щелчка.

VG+/M (Very Good Plus/Mint) — Конверт может иметь значительную потертость и изломы, также возможны небольшие надрывы/разрывы, расщепления швов, стикеры (наклейки) и следы от них, надписи. Пластинка новая , без каких-либо изъянов. Не была прослушана ни разу, или прослушана очень аккуратно. Никаких потертостей, царапин, пятен или надписей.

VG+/M- (Very Good Plus/Mint minus) — (иногда маркируется некоторыми оценщиками как VG+/NM — Very Good plus/Near Mint). Конверт может иметь значительную потертость и изломы, также возможны небольшие надрывы/разрывы, расщепления швов, стикеры (наклейки) и следы от них, надписи. Пластинка новая, почти без изъянов. Была прослушана несколько раз. Никаких потертостей, царапин, пятен или надписей.

VG+/EX+ (Very Good Plus/Excellent plus) — (иногда маркируется некоторыми оценщиками как VG+/VG++ — Very Good plus/Very Good plus plus). Конверт может иметь значительную потертость и изломы, также возможны небольшие надрывы/разрывы, расщепления швов, стикеры (наклейки) и следы от них, надписи.

Пластинка была прослушана явно не один раз, имеет поверхностные царапинки, при воспроизведении можно иногда услышать «песочек» или потрескивание, особенно в тихих местах и между треками, может встретиться один-два негромких щелчка.

где на самом деле 7 нанометров в технологии 7 нм? / Хабр

Современные микроэлектронные технологии — как «Десять негритят». Стоимость разработки и оборудования так велика, что с каждым новым шагом вперёд кто-то отваливается. После новости об отказе GlobalFoundries от разработки 7 нм их осталось трое: TSMC, Intel и Samsung. А что такое, собственно “проектные нормы” и где там тот самый заветный размер 7 нм? И есть ли он там вообще?


Рисунок 1. Транзистор Fairchild FI-100, 1964 год.

Самые первые серийные МОП-транзисторы вышли на рынок в 1964 году и, как могут увидеть из рисунка искушенные читатели, они почти ничем не отличались от более-менее современных — кроме размера (посмотрите на проволоку для масштаба).

Зачем уменьшать размер транзисторов? Самый очевидный ответ на этот вопрос носит название закона Мура и гласит, что каждые два года количество транзисторов на кристалле должно увеличиваться вдвое, а значит линейные размеры транзисторов должны уменьшаться в корень из двух раз. «Должно» — согласно наблюдениям Гордона Мура (и некоторых других инженеров) в семидесятых. Из закона Мура следует много других факторов, составляющих дорожную карту микроэлектроники ITRS. Наиболее простая и грубая формулировка методов реализации закона Мура (также известная как закон миниатюризации Деннарда) — рост числа транзисторов на чипе не должен приводить к росту плотности потребляемой мощности, то есть с уменьшением размеров транзисторов должны пропорционально уменьшаться напряжение питания и рабочий ток.

Ток через МОП-транзистор пропорционален отношению его ширины к длине, а значит мы можем сохранять один и тот же ток, пропорционально уменьшая оба этих параметра. Более того, уменьшая размеры транзистора, мы уменьшаем еще и емкость затвора (пропорциональную произведению длины и ширины канала), делая схему еще быстрее. В общем, в цифровой схеме нет практически никаких причин делать транзисторы больше, чем минимально допустимый размер. Дальше начинаются нюансы насчет того, что в логике p-канальные транзисторы обычно несколько шире n-канальных, чтобы скомпенсировать разницу в подвижности носителей заряда, а в памяти наоборот, n-канальные транзисторы шире, чтобы память нормально записывалась через некомплементарный ключ, но это действительно нюансы, а глобально — чем меньше размеры транзистора — тем лучше для цифровых схем.

Именно поэтому длина канала всегда была самым маленьким размером в топологии микросхемы, и самым логичным обозначением проектных норм.

Здесь надо заметить, что вышеописанные рассуждения про размер не справедливы для аналоговых схем. Например, прямо сейчас на втором мониторе моего компьютера — согласованная пара транзисторов по 150 нм технологии, по 32 куска размером 8/1 мкм каждый. Так делается для того, чтобы обеспечить идентичность этих двух транзисторов, несмотря на технологический разброс параметров. Площадь при этом имеет второстепенное значение.

У технологов и топологов существует так называемая лямбда-система типовых размеров топологии. Она очень удобна для изучения проектирования (и была придумана в университете Беркли, если я не ошибаюсь) и переноса дизайнов с фабрики на фабрику. Фактически, это обобщение типичных размеров и технологических ограничений, но немного загрубленное, чтобы на любой фабрике точно получилось. На ее примере удобно посмотреть на типовые размеры элементов в микросхеме. Принципы в основе лямбда-системы очень просты:

  1. если сдвиг элементов на двух разных фотолитографических масках имеет катастрофические последствия (например, короткое замыкание), то запас размеров для предотвращения несостыковок должен быть не менее двух лямбд;
  2. если сдвиг элементов имеет нежелательные, но не катастрофические последствия, запас размеров должен быть не менее одной лямбды;
  3. минимально допустимый размер окон фотошаблона — две лямбды.

Из третьего пункта следует, в частности, то, что лямбда в старых технологиях — половина проектной нормы (точнее, что длина канала транзистора и проектные нормы — две лямбды).


Рисунок 2. Пример топологии, выполненной по лямбда-системе.

Лямбда-система отлично работала на старых проектных нормах, позволяя удобно переносить производство с фабрики на фабрику, организовывать вторых поставщиков микросхем и делать много еще чего полезного. Но с ростом конкуренции и количества транзисторов на чипе фабрики стали стремиться сделать топологию немного компактнее, поэтому сейчас правила проектирования, соответствующие «чистой» лямбда-системе, уже не встретить, разве что в ситуациях, когда разработчики самостоятельно их загрубляют, имея в виду вероятность производства чипа на разных фабриках. Тем не менее, за долгие годы в отрасли сложилась прямая связь «проектные нормы = длина канала транзистора», которая успешно существовала до тех пор, пока размеры транзисторов не достигли десятков нанометров.


Рисунок 3. Схематичный разрез транзистора.

На этом рисунке приведен ОЧЕНЬ сильно упрощенный разрез обычного планарного (плоского) транзистора, демонстрирующий разницу между топологической длиной канала (Ldrawn) и эффективной длиной канала (Leff). Откуда берется разница?

Говоря о микроэлектронной технологии, почти всегда упоминают фотолитографию, но гораздо реже — другие, ничуть не менее важные технологические операции: травление, ионную имплантацию, диффузию и т.д. и т.п. Для нашего с вами разговора будет не лишним напоминание о том, как работают диффузия и ионная имплантация.


Рисунок 4. Сравнение диффузии и ионной имплантации.

С диффузией все просто. Вы берете кремниевую пластину, на которой заранее (с помощью фотолитографии) нанесен рисунок, закрывающий оксидом кремния те места, где примесь не нужна, и открывающий те, где она нужна. Дальше нужно поместить газообразную примесь в одну камеру с кристаллом и нагреть до температуры, при которой примесь начнет проникать в кремний. Регулируя температуру и длительность процесса, можно добиться требуемого количества и глубины примеси.

Очевидный минус диффузии — то, что примесь проникает в кремний во всех направлениях одинаково, что вниз, что вбок, таким образом сокращая эффективную длину канала. И мы говорим сейчас о сотнях нанометров! Пока проектные нормы измерялись в десятках микрон, все было нормально, но разумеется, такое положение дел не могло продолжаться долго, и на смену диффузии пришла ионная имплантация.

При ионной имплантации пучок ионов примеси разгоняется и направляется на пластину кремния. При этом все ионы движутся в одном направлении, что практически исключает их расползание в стороны. В теории, конечно же. На практике ионы все-таки немного расползаются в стороны, хоть и на гораздо меньшие расстояния, чем при диффузии.

Тем не менее, если мы возвратимся к рисунку транзистора, то увидим, что разница между топологической и эффективной длиной канала начинается именно из-за этого небольшого расползания. Ей, в принципе, можно было бы пренебречь, но она — не единственная причина различия. Есть еще короткоканальные эффекты. Их пять, и они разными способами изменяют параметры транзистора в случае, если длина канала приближается к различным физическим ограничениям. Описывать все их я не буду, остановлюсь на самом релевантном для нас — DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering, индуцированное стоком снижение потенциального барьера).

Для того, чтобы попасть в сток, электрон (или дырка) должен преодолеть потенциальный барьер стокового pn-перехода. Напряжение на затворе уменьшает этот барьер, таким образом управляя током через транзистор, и мы хотим, чтобы напряжение на затворе было единственным управляющим напряжением. К сожалению, если канал транзистора слишком короткий, на поведение транзистора начинает влиять стоковый pn-переход, который во-первых, снижает поровогое напряжение (см. рисунок ниже), а во-вторых, на ток через транзистор начинает влиять напряжение не только на затворе, но и на стоке, потому что толщина стокового pn-перехода увеличивается пропорционально напряжению на стоке и соответственно укорачивает канал.


Рисунок 5. Эффект Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL).
Источник — википедия.

Кроме того, уменьшение длины канала приводит к тому, что носители заряда начинают свободно попадать из истока в сток, минуя канал и формируя ток утечки (bad current на рисунке ниже), он же статическое энергопотребление, отсутствие которого было одной из важных причин раннего успеха КМОП-технологии, довольно тормозной по сравнению с биполярными конкурентами того времени. Фактически, каждый транзистор в современной технологии имеет стоящий параллельно ему резистор, номинал которого тем меньше, чем меньше длина канала.


Рисунок 6. Рост статического потребления из-за утечек в технологиях с коротким каналом.
Источник — Synopsys.
Рисунок 7. Доля статического энергопотребления микропроцессоров на разных проектных нормах.

Источник — B. Dieny et. al., «Spin-Transfer Effect and its Use in Spintronic Components», International Journal of Nanotechnology, 2010

Сейчас же, как вы можете видеть на рисунке выше, статическое потребление существенно превышает динамическое и является важным препятстствием для создания малопотребляющих микросхем, например, для носимой электроники и интернета вещей. Собственно, примерно в момент, когда это стало важной проблемой, и начался маркетинговый мухлеж с проектными нормами, потому что прогресс в литографии стал опережать прогресс в физике.

Для борьбы с нежелательными эффектами короткого канала на проектных нормах 800-32 нанометров было придумано очень много разных технологических решений, и я не буду описывать их все, иначе статья разрастется до совсем уж неприличных размеров, но с каждым новым шагом приходилось внедрять новые решения — дополнительные легирования областей, прилегающих к pn-переходам, легирования в глубине для предотвращения утечек, локальное превращение кремния в транзисторах в кремний-германий… Ни один шаг в уменьшении размеров транзисторов не дался просто так.


Рисунок 8. Эффективная длина канала в технологиях 90 нм и 32 нм. Транзисторы сняты в одном и том же масштабе. Полукруги на рисунках — это форма дополнительного слабого подлегирования стоков (LDD, lightly doped drain), делаемого для уменьшения ширины pn-переходов.

Источник — Synopsys.

Типичные размеры металлизации и расстояния между элементами при переходе от 90 нм до примерно 28 нм уменьшались пропорционально уменьшению цифры проектных норм, то есть типовой размер следующего поколения составлял 0.7 от предыдущего (чтобы, согласно закону Мура, получить двукратное уменьшение площади). Одновременно с этим длина канала уменьшалась в лучшем случае как 0.9 от предыдущего поколения, а эффективная длина канала практически не менялась вовсе. Из рисунка выше хорошо видно, что линейные размеры транзисторов при переходе от 90 нм к 32 нм изменились вообще не в три раза, и все игры технологов были вокруг уменьшения перекрытий затвора и легированных областей, а также вокруг контроля за статическими утечками, который не позволяли делать канал короче.

В итоге стали понятны две вещи:

  1. спуститься ниже 25-20 нм без технологического прорыва не получится;
  2. маркетологам стало все сложнее рисовать картину соответствия прогресса технологии закону Мура.

Закон Мура — это вообще противоречивая тема, потому что он является не законом природы, а эмпирическим наблюдением некоторых фактов из истории одной конкретной компании, экстраполированном на будущий прогресс всей отрасли. Собственно, популярность закона Мура неразрывно связана с маркетологами Intel, которые сделали его своим знаменем и, на самом деле, много лет толкали индустрию вперед, заставляя ее соответствовать закону Мура там, где, возможно, стоило бы немного подождать.

Какой выход нашли из ситуации маркетологи? Весьма изящный.

Длина канала транзистора — это хорошо, но как по ней оценить выигрыш площади, который дает переход на новые проектные нормы? Довольно давно в индустрии для этого использовалась площадь шеститранзисторной ячейки памяти — самого популярного строительного блока микропроцессоров. Именно из таких ячеек обычно состоит кэш-память и регистровый файл, которые могут занимать полкристалла, и именно поэтому схему и топологию шеститранзисторной ячейки всегда тщательно вылизывают до предела (часто — специальные люди, которые только этим и занимаются), так что это действительно хорошая мера плотности упаковки.


Рисунок 9. Схема шеститранзисторной ячейки статической памяти.
Рисунок 10. Разные варианты топологии шеститранзисторной ячейки статической памяти. Источник — G. Apostolidis et. al., «Design and Simulation of 6T SRAM Cell Architectures in 32nm Technology», Journal of Engineering Science and Technology Review, 2016

Так что довольно давно в описаниях технологий цифру проектных норм сопровождала вторая цифра — площадь ячейки памяти, которая, по идее, должна быть производной от длины канала. А дальше случилась интересная подмена понятий. В момент, когда прямое масштабирование перестало работать, и длина канала перестала уменьшаться каждые два года по закону Мура, маркетологи догадались, что можно не выводить площадь ячейки памяти из проектных норм, а выводить цифру проектных норм из площади ячейки памяти!

То есть натурально “раньше у нас была длина канала 65 нм и площадь ячейки памяти Х, а теперь длина канала 54 нм, но мы ужали металлизацию, и теперь площадь ячейки стала Х/5, что примерно соответствует переходу от 65 до 28 нм. Так давайте всем скажем, что у нас проектные нормы 28 нм, а про длину канала 54 нм никому говорить не будем?” Справедливости ради, “ужали металлизацию” — это тоже важное достижение, и какое-то время после начала проблем с миниатюризацией собственно транзисторов озвученным проектным нормам соответствовала минимальная ширина металлизации, размер контакта к транзистору или еще какая-нибудь цифра на топологии. Но дальше начались пляски с FinFET транзисторами, у которых ключевые размеры никак не связаны с разрешением литографии, скорости миниатюризации транзисторов и всего остального окончательно разошлись, и единственной нормальной цифрой осталась площадь ячейки памяти, на основе которой нам сейчас и сообщают про “10”, “7” и “5” нанометров.


Рисунок 11. Сравнение технологий 14 нм и 10 нм Intel.
Источник — Intel.

Вот отличный пример этого “нового скейлинга”. Нам показывают, как поменялись характерные размеры в ячейке памяти. Многие параметры, но о длине и ширине канала транзистора тут ни слова!

Как решали проблему невозможности уменьшения длины канала и контроля за утечками технологи?

Они нашли два пути. Первый — в лоб: если причина утечек — большая глубина имплантации, давайте ее уменьшим, желательно радикально. Технология «кремний на изоляторе» (КНИ) известна уже очень давно (и активно применялась все эти годы, например в 130-32 нм процессорах AMD, 90 нм процессоре приставки Sony Playstation 3, а также в радиочастотной, силовой или космической электронике), но с уменьшением проектных норм она получила второе дыхание.


Рисунок 12. Сравнение транзисторов, выполненных по обычной объемной и FDSOI (полностью обедненный КНИ) технологиях.
Источник — ST Microelectronics.

Как видите, идея более чем элегантная — под очень тонким активным слоем располагается оксид, убирающий вредный ток утечки на корню! Заодно, за счет уменьшения емкости pn-переходов (убрали четыре из пяти сторон куба стока) увеличивается быстродействие и еще уменьшается энергопотребление. Именно поэтому сейчас технологии FDSOI 28-22-20 нм активно рекламируются как платформы для микросхем интернета вещей — потребление действительно сокращается в разы, если не на порядок. И еще такой подход позволяет в перспективе поскейлить обычный плоский транзистор до уровня 14-16 нм, чего объемная технология уже не позволит.

Тем не менее, ниже 14 нм на FDSOI особенно не опуститься, да и другие проблемы у технологии тоже есть (например, страшная дороговизна подложек КНИ), в связи с чем индустрия пришла к другому решению — FinFET транзисторам. Идея FinFET транзистора тоже весьма элегантна. Мы хотим, чтобы бОльшая часть пространства между стоком и истоком управлялась затвором? Так давайте окружим это пространство затвором со всех сторон! Хорошо, не со всех, трех будет вполне достаточно.


Рисунок 13. Структура FinFET.
Источник — A. Tahrim et.al., «Design and Performance Analysis of 1-Bit FinFET Full Adder Cells for Subthreshold Region at 16 nm Process Technology», Journal of Nanomaterials, 2015
Рисунок 14. Сравнение энергопотребления разных вариантов сумматора, выполненных на планарных транзисторах и на FinFET.
Источник — A. Tahrim et.al., «Design and Performance Analysis of 1-Bit FinFET Full Adder Cells for Subthreshold Region at 16 nm Process Technology», Journal of Nanomaterials, 2015

В FinFET канал не плоский и находящийся прямо под поверхностью подложки, а образует вертикальный плавник (Fin — это и есть плавник), выступающий над поверхностью и с трех сторон окруженный затвором. Таким образом, все пространство между стоком и истоком контролируется затвором, и статические утечки очень сильно уменьшаются. Первыми FinFET серийно выпустили Intel на проектных нормах 22 нм, дальше подтянулись остальные топовые производители, включая такого апологета КНИ, как Global Foundries (бывшие AMD).

Вертикальность канала в FinFET, кроме всего прочего, позволяет экономить на площади ячейки, потому что FinFET c широким каналом довольно узкий в проекции, и это, в свою очередь, опять помогло маркетологам с их рассказами про площадь ячейки памяти и ее двухкратное уменьшение с каждым новым шагом «проектных норм», уже никак не привязанных к физическим размерам транзистора.


Рисунок 15. Топологии разных вариантов ячеек памяти (5T-9T) в технологии с FinFET. Источник — M. Ansari et. al., «A near-threshold 7T SRAM cell with high write and read margins and low write time for sub-20 nm FinFET technologies», the VLSI Journal on Integration, Volume 50, June 2015.

Вот примеры разных вариантов ячеек памяти в технологии с FinFET. Видите, как геометрическая ширина канала намного меньше длины? Также можно видеть, что, несмотря на все пертурбации, лямбда-система у топологов все еще в ходу для количественных оценок. А что с абсолютными цифрами?


Рисунок 16. Некоторые размеры транзисторов в 14-16 нм технологиях.
Источник — the ConFab 2016 conference proceedings.

Как видно из рисунка, топологическая длина канала в 16 нм FinFET технологиях все еще больше, чем 20-25 нм, о которых говорилось выше. И это логично, ведь физику не обманешь. Но из этого же рисунка можно сделать и другой, более интересный вывод: если присмотреться, то становится понятно, что минимальный имеющийся в транзисторах размер — это не длина канала, а ширина плавника. И тут нас ожидает забавное открытие: ширина плавника в техпроцессе Intel 14 nm составляет (барабанная дробь!) ВОСЕМЬ нанометров.


Рисунок 17. Размеры плавника в 14 нм техпроцессе Intel.
Источник — wikichip.org

Как видите, тут маркетологи, привязавшись к размерам ячейки памяти, обманули сами себя, и теперь вынуждены озвучивать цифру больше, чем могли бы. На самом деле, конечно, в условиях принципиального изменения структуры транзистора и ожидания пользователей услышать какую-то метрику, использование метрики, отражающей плотность упаковки, было, наверное, единственно верным решением, и маркетологи в конечном счете оказались правы, хоть это и приводит иногда к забавным ситуациям, когда одни и те же проектные нормы в разных компаниях называют по-разному. Например, читая новости о том, что TSMC уже запустила 7 нм, а Intel опять задерживает начало производства 10 нм, стоит помнить о том, что 7 нм TSMC и 10 нм Intel — это на самом деле одни и те же проектные нормы с точки зрения и плотности упаковки, и размеров отдельных транзисторов.

Что дальше? На самом деле, никто не знает. Закон Мура исчерпал себя уже довольно давно, и если десять лет назад ответ на вопрос «что дальше?» можно было найти в отчетах исследовательских центров, то сейчас все чаще слышно о том, что от перспективных разработок приходится отказываться, так как они оказываются чрезмерно сложными во внедрении. Так уже произошло с пластинами диаметром 450 миллиметров, так частично происходит с EUV-литографией (с которой ученые носились лет двадцать), так, видимо, произойдет с транзисторами на графене и углеродных нанотрубках. Еще один технологический прорыв нужен, но пути к нему, как это ни прискорбно, пока не видно. Дошло до того, что новый директор TSMC Марк Лиу назвал наиболее перспективным направлением развития микроэлектронной технологии не уменьшение размеров транзисторов, а 3D-интеграцию. «Настоящая» 3D-интеграция, а не объединение нескольких чипов в одном корпусе действительно будет огромной вехой в развитии микроэлектроники, но вот закон Мура как закон уменьшения размеров транзисторов, кажется, умер окончательно.

Всё внутри

В Delphi методы должны объявляться внутри класса, а описываться — вне класса, при этом перед именем метода пишется имя класса с последующей точкой:

type
  Person = class
  private
    nm: string; // имя
    ag: integer; // возраст
    procedure SetAge(ag: integer);
  public
    constructor Create(nm: string; ag: integer);
    property Name: string read nm;
    property Age: integer read ag write SetAge;
end;
 
constructor Person.Create(nm: string; ag: integer);
begin
  Self.nm := nm;
  Self.ag := ag;
end;
 
procedure Person.SetAge(ag: integer);
begin
  if ag<0 then
    ag := 0;
  Self.ag := ag;
end;

Удобен ли такой метод? Несомненно: при взгляде на класс сразу виден его интерфейс. А реализация дана ниже. Если класс находится в модуле, то его интерфейс помещается в интерфейсную секцию модуля, а реализация методов — в секцию реализации модуля.

Немного раздражают лишние детали: например, для использования класса достаточно знать его открытый интерфейс и вовсе не нужно знать, какие методы используются для чтения и записи свойств. То есть в идеале для пользователя класс должен предстать в следующем обличье:

type
  Person = class
  public
    constructor Create(nm: string; ag: integer);
    property Name: string read;
    property Age: integer read write;
end;

В Java и C# принято прямо противоположное решение: все методы определяются только внутри интерфейса класса. Например, тот же класс на C# будет описываться так:

При таком способе все описывается сразу, что очень удобно, но есть две проблемы. Во-первых, интерфейс класса становится труднообозримым. Во-вторых, трудно перемещаться по большому классу в 200-300-1000 строк в поисках нужного метода. Обе проблемы решаются специальными средствами оболочки, позволяющимися вычленять из класса его интерфейс и перемещаться к нужному методу.

В C++ принято демократичное решение: методы могут описываться как внутри, так и вне класса. Это очень удобно: мелкие методы реализуются на месте, более крупные выносятся вовне чтобы не захламлять интерфейс класса.

В PascalABC.NET принято такое же демократическое решение: методы можно определять как внутри, так и вне интерфейса класса. Например, код нашего класса можно записать следующим образом:

type
  Person = class
  private
    nm: string; // имя
    ag: integer; // возраст
    procedure SetAge(ag: integer);
    begin
      if ag<0 then
        ag := 0;
      Self.ag := ag;
    end;
  public
    constructor Create(nm: string; ag: integer);
    begin
      Self.nm := nm;
      Self.ag := ag;
    end;
    property Name: string read nm;
    property Age: integer read ag write SetAge;
  end;

Конечно, наследуются недостатки обоих способов. Но есть и преимущества. Они просты.

1. При начальном обучении классам достаточно сказать, что класс — это всего лишь оболочка над переменными и подпрограммами, объединяюшая их в единое целое (пренебрежем защитой данных и явным конструктором):

type
  Person = class // оболочка
    Name: string;
    Age: integer;
    procedure Print;
    begin
      writeln(Name,' ',Age);
   end;
end;

Это целое является типом, которым можно пользоваться как обычным типом: описывать переменные этого типа (объекты) и пользоваться ими, используя точечную нотацию для вызова этих подпрограмм (методов) и обращения к этим переменным (полям). Только сконструировать эту переменную надо перед первым использованием:

var p: Person := new Person; // Сконструировать новый объект - обязательно
p.Name := 'Иванов';
p.Age := 18;
p.Print;

Все просто. Такой способ изложения позволяет рассказывать о классах практически сразу после темы «Подпрограммы».

Еще можно добавить, что внутри класса можно написать свой метод-конструктор с параметрами:

constructor (nm: string; ag: integer);
begin
  Name := nm;
  Age := ag;
end;

Да-да, в PascalABC.NET имя можно не добавлять. Но если уж добавили — помните: все конструкторы в PascalABC.NET должны именоваться Create. Тогда предыдущий код упростится:

var p: Person := new Person('Иванов',18);
p.Print;

2. При написании кода программы на доске (да-да, еще кое где все еще пишут на доске!) гораздо проще описывать методы класса сразу.

И еще одно маленькое замечание. Если уж так страшно использовать конструкторы классов, можно воспользоваться записями — в PascalABC. NET в записях тоже могут быть методы и они могут описываться внутри. Повторим предыдущий ко для записей для лучшей обозримости:

type
  Person = record
    Name: string;
    Age: integer;
    procedure Print;
    begin
      writeln(Name,' ',Age);
    end;
end;
 
var p: Person;
 
begin
  p.Name := 'Иванов';
  p.Age := 18;
  p.Print;
end.

Что такое лаурилсульфат натрия и натуральные альтернативы моющим средствам с SLS

Латинская аббревиатура SLS обозначает лаурилсульфат натрия (sodium lauryl sulfate) — поверхностно-активное вещество (ПАВ), который используется в моющих средствах как пенообразователь. Информация противоречива: SLS вреден или нет? Разбираемся в нюансах.

Лаурилсульфат натрия помогает пениться моющим средствам, эффективно расщепляет жир и борется с загрязнениями. Он содержится во многих шампунях, гелях для душа и других моющих средствах.

Вреден ли он? Короткий ответ — нет, не вреден. Однако и не полностью безопасен.

Недоказанный вред

Самый живучий миф об SLS — это связь лаурилсульфата натрия с возникновением рака. Но, согласно данным Американской онкологической ассоциации, это именно миф, не более. Не существует исследований, которые с достаточной степенью достоверности демонстрируют зависимость развития раковых образований от контактов с SLS. Иными словами, можно с достаточной степенью уверенности утверждать, что в большинстве ситуаций для большинства людей пенообразователь лаурилсульфат натрия безопасен.

Однако «безопасен» еще не означает «полезен».

Результаты тестов показывают, что SLS может вызывать раздражение кожи и волос, сушит кожу и — при больших концентрациях и длительном контакте с кожей — может приводить к появлению экземы и разрушению кератина — строительного вещества наших волос. Важно понимать, что все эти результаты показали подобные эффекты только при повышенной концентрации и достаточно продолжительном контакте с SLS. Однако в реальной жизни такой уровень концентрации и время воздействия лаурилсульфата натрия едва ли встречается — едва ли кто-то держит гель для душа на коже больше часа.

Как обезопасить себя от вредного воздействия SLS?

  • Во-первых, не рекомендуется использовать средства с SLS детям и людям с чувствительной кожей.
  • Во-вторых, SLS-содержащие моющие средства, шампуни, гели для душа и проч. не рекомендуются людям с аллергией на SLS, а также его «родственников» SLES (лауретсульфат натрия) и ALS (лаурилсульфат аммония).
  • В-третьих, при мытье посуды и работе с бытовой химией рекомендуется использовать резиновые перчатки — это защитит кожу рук от сухости и раздражения.
  • Наконец, рекомендуем по максимуму использовать моющие средства без SLS

Натуральные альтернативы SLS

Существуют натуральные поверхностно-активные вещества, которые также образуют пену, но не вызывают аллергии и меньше сушат кожу. В частности, натриевые соли жирных кислот — основа для твердого туалетного и хозяйственного мыла — это натуральный пенообразователь, который подходит аллергикам и людям с чувствительной кожей.

На многих продуктах, не содержащих лаурилсульфат натрия, стоит маркировка «Без SLS». Кроме того, всегда можно проверить эту информацию, прочитав состав моющего средства — в нем не должно быть sodium lauryl sulfate, sodium laureth sulfate и ammonium laurel sulfate.

Хозяйственное мыло НМЖК не одержит SLS. Оно пенится благодаря входящим в его состав натриевым солям жирных кислот, которые при контакте с водой образуют пену. Это мыло подходит для аллергиков и тех, кто решил минимизировать использование средств с лаурилсульфатом натрия. Мыло «Отбеливающее» и «Против пятен» подходят для стирки. состав мыла «Отбеливание» входят активные компоненты, помогающие сохранить белизну ткани и вернуть ее потускневшим белым вещам. В состав мыла «Против пятен» входят активные компоненты, удаляющие пятна красящих напитков (чая, кофе, соков, красного вина), фруктов, овощей, травы, жирные пятна и т.д. Оба продукта производятся в соответствии с ГОСТ.

УФ-защита и категории фильтров солнцезащитных очков, очки с защитой UV400

Ежедневно мы находимся под воздействием ультрафиолетового излучения.

Учеными доказано, что даже маленькие дозы ультрафиолета имеют способность накапливаться. Такой кумулятивный эффект влечет за собой риски необратимых процессов и патологического состояния сетчатки глаза.

Защитить глаза от ультрафиолетового излучения помогут качественные солнцезащитные очки с UV 380 или UV 400, а также с правильно подобранной категорией фильтра.

UV400 — что это?

Ультрафиолетовое излучение, которое есть в составе солнечного света, может иметь волны разной длины. В зависимости от длины волны, ультрафиолет делится на несколько типов:

  • тип А — длинные УФ-волны 315-400 нм, наименее опасный диапазон излучения;

  • тип В — средние УФ-волны 280-315 нм, вызывает повреждение кожи;

  • тип С и V — короткие УФ-волны 100-280 нм, наиболее опасный диапазон.

Несмотря на высокий уровень опасности, лучи типа С и V полностью задерживается озоновым слоем земной атмосферы.

Тем временем, неощутимые для человека лучи УФ-А и УФ-В при чрезмерном попадании могут вызвать ожог сетчатки.

Показатель UV400 свидетельствует, что солнцезащитные очки защищают от ультрафиолетовых волн длиной до 400 нм. Соответственно, UV380 — защита от волн длиной до 380 нм.

Модели солнцезащитных очков с защитой UV400

Все качественные солнцезащитные очки по умолчанию имеют UV-защиту.

Существует заблуждение, что уровень защиты зависит от уровня затемнения очков. На самом деле, это не так! Даже полностью прозрачные линзы в очках могут иметь защиту от ультрафиолета.

Некачественные очки с темными линзами без UV-защиты блокируют лишь солнечный свет. Это значит, что зрачки не сужаются, а ультрафиолет попадает прямо на сетчатку. Такое воздействие УФ вредит зрению!

Как проверить очки на защиту от ультрафиолета?

Часть производителей указывает степень UV-защиты на линзе (UV 380 или UV 400). Если же такой отметки нет, проверить очки на уровень защиты от УФ можно с помощью спектрографа.

Спектрографы для проведения UV-теста имеются в большинстве наших магазинов. Наличие спектрографа в Люксоптике вашего города уточняйте по телефону.

Категории фильтров и уровни светопропускания

Категория фильтра линз определяет степень защиты глаз от видимого солнечного света.

Существует пять категорий фильтров солнцезащитных очков с различными уровнями светопропускания:

  • Категория «0» — бесцветный или очень слабоокрашенный фильтр (светопропускание 80-100%). Обеспечивает минимальную степень защиты, комфортный в пасмурные дни.

  • Категория «1» — средне-слабый фильтр (светопропускание 80-43%). Очки с такими линзами подходят для неактивного солнца.

  • Категория «2» — универсальный фильтр (светопропускание 43-18%). Такие очки самые распространенные и хорошо справляются с ярким солнцем.

  • Категория «3» — темный фильтр (светопропускание 18-8%). Подходит для очень яркого солнца и отдыха на пляже.

  • Категория «4» — экстремально-темный фильтр (светопропускание 8-3%). Применяется в специализированных очках для альпинистов и туристов. Запрещен при вождении автомобиля.  

Маркировка солнцезащитных очков — где смотреть?

Качественные солнцезащитные очки имеют специальную маркировку на заушнике с указанием модели и размера.

У некоторых производителей маркировка также включает информацию о категории фильтра. Это позволяет быстро подобрать очки под свои потребности.

Как выбрать цвет линз солнцезащитных очков?

Цвет линз очков также бывает разным и его необходимо выбирать, исходя из потребностей. Наиболее комфортными считаются коричневые, серые и зеленые цвета линз.

Очки с цветными линзами — отличный вариант добавить красок в свой образ. Главное, чтобы восприятие цветов было приятным.

 

Берегите себя и свое зрение! Солнцезащитные очки с качественной оптикой — это залог безопасности для ваших глаз!

Мотор-редуктор и мотор-редукторы | SEW-EURODRIVE

Наша модульная система мотор-редукторов ориентируется на многообразие ваших сфер применения. Выберите для своего привода идеальный вариант из мотор-редукторов стандартного исполнения, для сервопривода, с вариатором, из нержавеющей стали или взрывозащищенных.

Что такое мотор-редуктор?

Мотор-редуктор Мотор-редуктор

Мотор-редуктор – это единый компактный узел, состоящий из редуктора и двигателя. В электроприводной технике, изготавливаемой компанией SEW-EURODRIVE, двигатель всегда электрический. Идея „агрегата из двигателя и редуктора“ восходит к патенту конструктора и предпринимателя Альберта Обермозера из г. Брухзаль от 1928 года: он изобрел так называемый „двигатель с промежуточной передачей“.

С тех пор мотор-редукторы постоянно совершенствовались, были изобретены новые типы редукторов. Двигатели постоянного тока утратили свое значение, поэтому сегодня редукторы чаще всего комбинируются с двигателями переменного тока или с серводвигателями.

Как работает мотор-редуктор?

Главным компонентом мотор-редуктора является редуктор с его ступенями – парами зубчатых колес. Они передают усилие двигателя от входной стороны к выходной. Таким образом, редуктор работает как преобразователь вращающего момента и частоты вращения.

В большинстве случаев применения редуктор замедляет скорость вращения двигателя, а вращающий момент при этом становится значительно больше, чем у электродвигателя без редуктора. Поэтому от конструкции редуктора зависит, будет ли мотор-редуктор использоваться для малых, средних или тяжелых нагрузок, для коротких или долгих периодов включенного состояния.

В зависимости от того, уменьшает или увеличивает редуктор частоту вращения двигателя (т. е. частоту вращения на входе), говорят о понижающем или повышающем редукторе. Мерой этого служит передаточное отношение i между значениями частоты вращения на входе и выходе редуктора.

Еще одним важным параметром мотор-редуктора является максимальный вращающий момент на выходном валу. Он указывается в ньютон-метрах (Нм) и является мерой усилия мотор-редуктора и нагрузки, которую он может привести в движение этим усилием.

Какие типы мотор-редукторов существуют?

Тип мотор-редуктора определяется прежде всего направлением передачи усилия в редукторе. При этом различают три основных варианта конструкции: редуктор с параллельными валами, угловой редуктор и планетарный редуктор.

Где применяются мотор-редукторы?

Возможности применения мотор-редукторов чрезвычайно разнообразны. Без мотор-редукторов остановились бы целые отрасли экономики по всему миру. Так, в промышленном производстве они приводят в движение бесчисленные конвейерные линии, поднимают и опускают грузы и перемещают самые разные товары в различных системах транспортировки из пункта А в пункт Б.

Вот лишь малая доля возможных применений:

В автомобилестроении мотор-редукторы можно встретить на каждом этапе производства от штамповки кузовных деталей до окончательной сборки. А в производстве безалкогольных напитков они перемещают бутылки, упаковки и ящики, а также применяются при розливе напитков или сортировке пустой тары. Вся внутренняя логистика производственных предприятий полностью зависит от приводов, будь то складирование, сортировка или выдача товара.

Также и в аэропортах без мотор-редукторов ничего бы уже не двигалось, и пассажиры напрасно ждали бы своего багажа в зоне выдачи.

Манипуляторы и роботы, для которых очень важна высокая динамика и точность движений, были бы немыслимы без мотор-редукторов для сервопривода.

И последнее, но не менее важное: совсем не было бы некоторых аттракционов в индустрии развлечений, и мы, наверное, не знали бы, как захватывает дух на американских горках.

1

R37 DRE90L4:

  • R = R.. series helical gear unit (two and three stages)
  • 37 = gear unit size 37
  • DRE = asynchronous DRE.. series AC motor (efficiency class IE2)
  • 90 = motor size 90
  • L = long length
  • 4 = 4-pole
2

The gearmotor’s serial number is used, for example, to order appropriate replacement parts.

3

The mains frequency to which the gearmotor can be connected.

4

Ratio between the motor’s rated speed and the speed at the gear unit’s output shaft in rpm (revolutions per minute), depending on the nominal frequency applied (here 50 Hz).

  • Motor speed 1430 revolutions per minute
  • Gear unit output speed 141 revolutions per minute
5

Permitted voltage range in which the gearmotor can be operated:

  • Lower value: Max. voltage to which one phase (winding) of the installed motor can be subjected (here 220-242 V)
  • Higher value: Max. voltage the motor’s outer conductor can accommodate (here 380-420 V)
  • These values are valid for the nominal frequency applied (here 50 Hz)
6

Rated power and operating mode:

  • Rated power in kW (here 1.5 kW)
  • Here operating mode S1: Continuous operation with a constant load
7

Permitted current range in which the gearmotor can be operated:

  • Higher value (here 6.00 A): Maximum current to which one phase (winding) of the installed motor can be subjected (corresponds to maximum voltage of 230 V)
  • Lower value (here 3.45 A): Maximum current the motor’s outer conductor can accommodate (corresponds to maximum voltage of 400 V)
  • These values are valid for the nominal frequency applied (here 50 Hz)
8

Phase shift angle with sinusoidal currents and voltages (AC motors)

9

Indicates how energy efficient the gearmotor is. When operating at 50 Hz, this gearmotor has an efficiency of 84% and is in line with IE2.

10

The mains frequency to which the gearmotor can be connected (here 60 Hz).

11

Ratio between the motor’s rated speed and the speed at the gear unit’s output shaft in rpm (revolutions per minute), depending on the nominal frequency applied (here 60 Hz).

  • Motor speed 1745 revolutions per minute
  • Gear unit output speed 173 revolutions per minute
12

Permitted voltage range in which the gearmotor can be operated:

  • Lower value: Max. voltage to which one phase (winding) of the installed motor can be subjected (here 254-277 V)
  • Higher value: Max. voltage the motor’s outer conductor can accommodate (here 440-480 V)
  • These values are valid for the nominal frequency applied (here 60 Hz)
13

Rated power and operating mode:

  • Rated power in kW (here 1. 5 kW)
  • Here operating mode S1: Continuous operation with a constant load
14

Permitted current range in which the gearmotor can be operated:

  • Higher value (here 4.95 A): Maximum current to which one phase (winding) of the installed motor can be subjected (corresponds to maximum voltage of 254-277 V)
  • Lower value (here 2.85 A): Maximum current the motor’s outer conductor can accommodate (corresponds to maximum voltage of 440-480 V)
  • These values are valid for the nominal frequency applied (here 60 Hz)
15

Phase shift angle with sinusoidal currents and voltages (AC motors)

16

Indicates how energy efficient the gearmotor is. When operating at 60 Hz, this gearmotor has an efficiency of 85.5% and is in line with IE2.

17

The thermal class or insulating material classification indicates the maximum temperature to which the insulation can be subjected at the rated power. In other words, the material used for the gearmotor’s insulating system can withstand temperatures up to the one indicated.

According to the nameplate shown here, the gearmotor complies with insulating material classification B and is designed for a max. temperature of up to 130°C.

18

The motor’s permitted overload factor in line with NEMA Section 12.51. Indicates how much above the indicated rated power the motor can be loaded without being damaged.

19

The factor by which e.g. the speed changes between the gear unit’s output and input sides.

i = 10.11: 1011 revolutions per minute on the gear unit would be converted into a speed of 100 revolutions per minute

20

«Nm 101/83» indicates the maximum output torque – 101 Nm with 50 Hz operation and 83 Nm with 60 Hz operation.

21

The spatial orientation in the room/system for which the gearmotor is designed. Depending on the mounting position, a different lubricant fill quantity (oil volume) and possibly an oil expansion tank may be required.

22

«CLP HC-460-NSF-h2 Lebmi.Öl/0,30 l» as displayed here means:

  • CLP HC-460 – fully synthetic lubricant with a viscosity of 460 mm²/s (40°C)
  • NSF-h2: Classification for foodstuff applications – used when contact with food cannot be ruled out if damage occurs
  • Fill quantity 0.30 liters
23

This gearmotor’s weight (here 29.108 kg)

24

«3~IEC60034» has the following meaning:

  • «3~»: 3-phase motor
  • «IEC60034»: International standard IEC 60034 is the underlying rating and performance standard
25

Degree of protection IP 54 has the following meaning:

  • First number (5): Complete protection against contact, protection against internal dust accumulation
  • Second number (4): Protected against spraying water
26

Ключ

  1. 1

    Обозначение типа

  2. 2

    Заводской номер

  3. 3

    Номинальная частота

  4. 4

    Скорость мотора/редуктора

  5. 5

    Номинальное напряжение

  6. 6

    Номинальная мощность

  7. 7

    Номинальный ток

  8. 8

    cos φ

  9. 9

    КПД

  10. 10

    Номинальная частота

  11. 11

    Скорость мотора/редуктора

  12. 12

    Номинальное напряжение

  13. 13

    Номинальная мощность

  14. 14

    Номинальный ток

  15. 15

    cos φ

  16. 16

    КПД

  17. 17

    Класс изоляции

  18. 18

    Коэффициент перегрузки

  19. 19

    Передаточное число

  20. 20

    Максимальный крутящий момент

  21. 21

    Монтажная позиция

  22. 22

    Объем масла

  23. 23

    Масса

  24. 24

    Количество фаз/стандарт

  25. 25

    Степень защиты

  26. 26

Мотор-редукторы из модульной системы SEW-EURODRIVE

Как и сферы применения наших мотор-редукторов, столь же разнообразны и широки возможности их комбинирования. Благодаря разработанной в SEW-EURODRIVE универсальной модульной системе наши клиенты могут использовать миллионы вариантов и найти индивидуальное техническое решение для любых задач. При этом цель модульной системы – суметь из минимального числа компонентов составить максимальное многообразие конечных продуктов.

Мотор-редукторы SEW-EURODRIVE делятся на следующие категории: стандартные мотор-редукторы, мотор-редукторы для сервопривода, мотор-редукторы для троллейного привода, мотор-редукторы с вариатором, мотор-редукторы из нержавеющей стали и взрывозащищенные мотор-редукторы.

Стандартные мотор-редукторы:

Стандартные мотор-редукторы

Стандартные мотор-редукторы отличаются разнообразием конструкций, оптимальной градацией множества типоразмеров и самыми разными исполнениями. Это делает их незаменимыми и надежными приводами, особенно в сфере производства и логистики. В зависимости от количества типоразмеров редукторов возможны вращающие моменты до 50 000 Нм.

Мотор-редукторы для сервопривода:

Сила, динамика и точность. Это основные особенности мотор-редукторов для сервопривода. Наша модульная система и в этом случае является ключом к широким возможностям комбинирования и позволяет реализовать в этом сегменте самые разнообразные конфигурации из редукторов и двигателей. Поскольку для любой задачи можно подобрать идеальный вариант мотор-редуктора.

Какой бы ни была конфигурация сервопривода из наших планетарных редукторов PF.. или цилиндрических редукторов BF.. в сочетании с синхронными серводвигателями CMP, асинхронными серводвигателями типа DRL.. или с асинхронными двигателями DR..: Всякий раз специальная согласованность двигателя и редуктора дает вам именно те характеристики привода, которые идеально подходят к вашей системе и ее задачам.

Наши редукторы стандартной категории тоже позволяют вам создавать разнообразные комбинации с нашими серводвигателями, чтобы вполне индивидуально компоновать и оптимизировать свою приводную систему.

Мотор-редукторы с вариатором:

Для таких систем, где частота вращения привода должна регулироваться плавно, применяются наши механические мотор-редукторы с вариатором. Такие требования характерны, например, для простых ленточных конвейеров или мешалок, скорость которых должна постоянно адаптироваться к различным производственным процессам. При этом скорость регулируется бесступенчато с помощью либо маховичка, либо устройства дистанционного регулирования.

Мотор-редукторы из нержавеющей стали:

Если привод применяется в гигиенических зонах с высокими требованиями к чистоте, мотор-редуктор должен выдерживать воздействие химикатов и влаги. Для этих целей разработаны наши мотор-редукторы из нержавеющей стали, устойчивые к воздействию кислот и щелочей. Кроме того, их оптимизированная для очистки поверхность и отсутствие крыльчатки на дают грязи скапливаться в углублениях. Что же касается мощности, то никаких компромиссов от вас не потребуется. Будь то цилиндрический мотор-редуктор из нержавеющей стали RES.. или конический мотор-редуктор из нержавеющей стали KES..: Эти мотор-редукторы особенно прочны, долговечны и просты в обслуживании, а с коническим редуктором еще и очень компактны.

Взрывозащищенные мотор-редукторы:

Большинство наших стандартных и сервоприводных мотор-редукторов при соблюдении местных нормативов доступны по всему миру как взрывозащищенные мотор-редукторы. Это мощные и безопасные приводы, которые обеспечивают вам необходимую высокую производительность даже во взрывоопасных средах с воздушно-газовыми или воздушно-пылевыми смесями.

Что означает NM?

Не упоминается

Медицина »Физиология

it:

NM

Нью-Мексико

Региональные »Штаты — и многое другое …

 Оцените:
NM

No More

Правительство Law & Legal

 Оцените:
NM

Немного

Разное »Единицы измерения и многое другое. ..

 Оцените:
NM

Нанометр

Academic & Science »Электроника — и многое другое …

 Оцените его:
NM

NeuroMuscular

Медицинское »Физиология

 Оцените его:
NM

 Медицинское оборудование Измерено Оцените это:
NM

Never Mind

Интернет »Чат

Новый материал

Бизнес »Профессия и должности

 Оцените:
NM

Near Mint

Разное »Хобби

 Оцените:
NM

Неметаллические

Бизнес» Продукты и многое другое. ..

 Оцените:
NM

Nautical Mile

Правительственные »Транспорт — и многое другое …
NM

Not Meaningful

Business »Фондовая биржа — и многое другое …

 Оцените:
NM

 Сетевой маркетинг

Бизнес »Общий бизнес

 Оценить:
NM

Никогда не был в браке

Интернет» Чат
NM

Нормальный режим

Вычисления »Общие Вычислительная техника

 Оцените это:
NM

Немагнитные

Академические и научные науки »Физика
NM

Новые сообщения

Интернет »Чат

 Оцените это:
NM

Not Mine

 Оцените:
NM

Ничего особенного

Вычислительная техника »Текстовые сообщения — и многое другое. ..

 Оцените:
NM

Без маркировки

Государственные »Военные

 NM

Нет памяти

Вычисления »Общие вычисления

 Оцените его:
NM

Нет смысла

 Оценить:
NM

Ново Место

Международный »Испанский

 Оценить:
Оцените: